发明名称 具有缩小底电极之电阻性记忆体单元;RESISTIVE MEMORY CELL WITH REDUCED BOTTOM ELECTRODE
摘要 本发明揭示一种电阻性记忆体单元,其包含一环形底电极、一顶电极及配置于该底电极与该顶电极之间之一电解质层。可藉由如下而形成一环形底电极:在一底电极接触件上方形成一介电层;在该介电层中蚀刻一通孔以曝露该底电极接触件之至少一部分;在该介电层上方沈积一导电通孔衬料且进入该通孔,沈积于该通孔中之该通孔衬料形成该通孔中之一环形结构及与该曝露底电极接触件接触之一接触部分,该环形结构界定该环形结构之一径向向内腔;及使用一介电填充材料填充该腔,使得该通孔衬料之该环形结构形成该环形底电极,在该底电极上方沈积一电解质层且在该电解质层上方沈积一顶电极。
申请公布号 TW201444136 申请公布日期 2014.11.16
申请号 TW103108781 申请日期 2014.03.12
申请人 微晶片科技公司 发明人 达洋纳尼 索努;陈宝咪
分类号 H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) 主分类号 H01L45/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 美国