| 摘要 |
提供一种就算是例如当设置于被处理基体处之孔为细长且深之孔的情况时,也能够确实地进行蚀刻或洗净之孔内壁面处理方法。基体(100),系具有被赋予处理液(106)之表面,并于内部具备有于该表面上具有开口(110)之微空室(104),微空室(104)之纵横比(l/r)系为5以上,或者是纵横比为未满5并且V/S(V:微空室之容积;S:开口之面积)为3以上者,将此基体(100)设置在处理空间中。接着,使微空室(104)之内部暴露在氧化矽膜形成用之环境中,而在微空室(104)之内壁表面上形成氧化矽膜(201)。之后,将处理液(106)导入至处理空间中,并对于微空室(104)之内壁面进行处理。 |
