发明名称 无基板个别耦合电感器结构;SUBSTRATE-LESS DISCRETE COUPLED INDUCTOR STRUCTURE
摘要 一些创新性特征系关于电感器结构,该电感器结构包括第一电感器绕组、第二电感器绕组和填充物。第一电感器绕组包括导电材料。第二电感器绕组包括导电材料。填充物横向位于第一电感器绕组与第二电感器绕组之间。填充物配置成提供第一电感器绕组和第二电感器绕组的结构耦合。在一些实现中,第一电感器绕组与第二电感器绕组横向共面。在一些实现中,第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且第二电感器绕组具有第二螺旋形状。在一些实现中,第一电感器绕组和第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。在一些实现中,该填充物是环氧树脂。
申请公布号 TW201443940 申请公布日期 2014.11.16
申请号 TW103103804 申请日期 2014.02.05
申请人 高通公司 发明人 多伊尔詹姆斯汤玛士;玛姆狄法尔席德;亚朗尼亚米拉里夏昂
分类号 H01F38/14(2006.01) 主分类号 H01F38/14(2006.01)
代理机构 代理人 <name>李世章</name>
主权项
地址 美国