| 摘要 |
一种具可程式可抹除的单一多晶矽非挥发性记忆体,包括:一基板结构;一第一p型电晶体,包括一选择闸极连接至一选择闸极电压,一第一p型源/汲区域连接至一源极线电压以及一第二p型源/汲区域;一第二p型电晶体,包括该第二p型源/汲区域,一第三p型源/汲区域连接至一位元线电压,以及一浮动闸极,其中该第一p型源/汲区域、该第二p型源/汲区域、与该第三p型源/汲区域形成于一N型井区内;以及一抹除闸区域,相邻于该浮动闸极,且该抹除闸区域包括一P型井区以及一n型源/汲区域,该n型源/汲区域连接至一抹除线电压;其中,该P型井区与该N型井区形成于该基板结构内。 |
