半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

[课题]提供ESD耐量高之半导体装置。[解决手段]复数的源极配线(22)分别由相同形状之金属膜所构成,将复数的源极(12)分别电性连接于接地电压配线(22a)。复数的汲极配线(23)分别由相同形状之金属膜所构成,将复数的汲极(12)分别电性连接于输入电压配线(23a)。复数的闸极配线(21)分别由相同形状之金属膜所构成,将复数的闸极(11)分别电性连接于接地电压配线(22a)。背闸极配线(24)系由金属膜所构成,将背闸极(14)电性连接于接地电压配线(22a)。再者,背闸极配线(24)系从源极(12)之上方的源极配线(22)分离。