半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法,提高半导体装置之可靠度。半导体装置,具备:晶片焊垫6;SiC晶片1,搭载于晶片焊垫6;第1烧结Ag层16,将晶片焊垫6与SiC晶片1接合;以及补强树脂部17,覆盖第1烧结Ag层16的表面,且形成为填角状。更具有:源极导线9,与SiC晶片1之源极电极2电性连接;闸极导线,与闸极电极3电性连接;汲极导线,与汲极电极4电性连接;以及密封体14,覆盖SiC晶片1、第1烧结Ag层16及晶片焊垫6的一部分;补强树脂部17,覆盖SiC晶片1之侧面1c的一部分。