发明名称 |
使用远端电浆源之加强式蚀刻制程;ENHANCED ETCHING PROCESSES USING REMOTE PLASMA SOURCES |
摘要 |
蚀刻图案化基板的方法可以包括使含氧前驱物流入与基板处理区域流体耦接的第一远端电浆区域。可以在该第一远端电浆区域中形成电浆的同时使含氧前驱物流入该区域,以产生含氧电浆流出物。该方法还可以包括使含氟前驱物流入与该基板处理区域流体耦接的第二远端电浆区域,同时在该第二远端电浆区域中形成电浆,以产生含氟电浆流出物。该方法可以包括使该含氧电浆流出物和含氟电浆流出物流入该处理区域,以及使用该流出物蚀刻位于该基板处理区域中的图案化基板。 |
申请公布号 |
TW201443992 |
申请公布日期 |
2014.11.16 |
申请号 |
TW103106349 |
申请日期 |
2014.02.25 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
英格尔尼汀K;路布米斯基德米崔;陈兴隆;凡卡塔拉曼尙卡尔 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/67(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |