发明名称 | 取代闸极制程及应用其制得之元件;REPLACEMENT GATE PROCESS AND DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME | ||
摘要 | 一种取代闸极制程。提供一基板和形成一假性闸极结构于基板上,其中假性闸极结构包括一暂置层位于基板上,一硬质遮罩层位于暂置层上,间隙壁位于暂置层和硬质遮罩层之两侧,及一接触蚀刻停止层覆盖基板、间隙壁和硬质遮罩层层,其中间隙壁和接触蚀刻停止层系为相同材料。接着,移除接触蚀刻停止层之一顶部以暴露出硬质遮罩层。然后移除硬质遮罩层,再移除暂置层以形成一沟槽。 | ||
申请公布号 | TW201443981 | 申请公布日期 | 2014.11.16 |
申请号 | TW102115869 | 申请日期 | 2013.05.03 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王俊杰;曹博昭;梁家瑞;邹世芳;林建廷;陈正国;傅思逸;洪裕祥;张仲甫 |
分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>祁明辉</name><name>林素华</name><name>涂绮玲</name> | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |