| 摘要 |
本发明之显示装置使用作为遮光层或反射层发挥功能之金属膜,修正将p型MOS电晶体与n型MOS电晶体长时间通电时之Vgs-Id特性之变化。本发明之显示装置包含复数个像素与CMOS电路,上述CMOS电路之p型MOS电晶体于隔着半导体层与闸极电极相反之侧包含第1遮光层,上述CMOS电路之n型MOS电晶体于隔着半导体层与闸极电极相反之侧包含第2遮光层,上述第1遮光层及上述第2遮光层由被输入特定电压之导电层构成,且该显示装置包含机构1及机构2,上述机构1于将Id设为汲极电流且将Vgs设为闸极-源极间电压时,控制输入至上述第1遮光层之电压値而调整上述p型MOS电晶体之Vgs-Id特性,上述机构2控制输入至上述第2遮光层之电压値而调整上述n型MOS电晶体之Vgs-Id特性。 |
