微影用光阻保护膜组成物、及使用该组成物形成半导体元件之图案的方法;RESIST PROTECTIVE FILM COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY AND METHOD OF FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE COMPOSITION

摘要

本发明系提供一用于微影法之光阻保护膜组成物，其包括一具有2,000至100,000之重量平均分子量之聚合物，其包括一位于该聚合物之一侧链上之具有一含氟官能基的重复单元；及一溶剂，其中该溶剂包括一具有12.5至22.0之海度班(Hildebrand)溶度参数的材料，且以该溶剂之总重量的100重量份数计，该具有12.5至22.0之海度班溶度参数之材料的一数量为为10至90重量份；及一使用该组成物形成一半导体元件之图案的方法。