微影蚀刻用光阻上层膜形成用组成物及使用其之半导体装置之制造方法;RESIST OVERLAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

摘要

本发明提供一种不会与光阻产生混合(Inter Mixing)，特别是可阻断EUV曝光之际所不期待之曝光光线，例如UV或DUV，而仅选择性地透过EUV，又可于曝光后使用显影液进行显影之制造半导体装置之步骤中的微影蚀刻制程所使用之光阻上层膜形成组成物。提供一种含有，含有由碳原子数1至10的饱和烷基所形成，且其中一部份或全部氢原子被氟原子所取代的有机基之聚合物，与作为溶剂之可被取代的碳原子数8至16的醚化合物的光阻上层膜形成组成物。