发明名称 透明导电膜及其制造方法
摘要 本发明之透明导电性膜系于有机高分子膜基材上之至少一面具有透明导电膜,上述透明导电膜系由{四价金属元素之氧化物/(四价金属元素之氧化物+氧化铟)}100(%)所表示之四价金属元素之氧化物之比率为7~15重量%的铟系复合氧化物之结晶质膜,膜厚为10nm~40nm之范围,比电阻値为1.310-4~2.810-4.cm,且于(222)面与(440)面具有X射线绕射峰之主波峰,(440)面之波峰之强度(I440)与(222)面之波峰之强度(I222)之波峰强度比(I440/I222)未达0.2。本发明之透明导电性膜具有较低之比电阻値及表面电阻値,且包含薄膜之结晶质膜。
申请公布号 TW201443925 申请公布日期 2014.11.16
申请号 TW103101708 申请日期 2014.01.16
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 佐佐和明;山本佑辅;待永广宣
分类号 H01B5/14(2006.01);B32B7/02(2006.01);B32B9/00(2006.01);B32B15/08(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/58(2006.01);H01B13/00(2006.01) 主分类号 H01B5/14(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 日本