| 摘要 |
イメージセンサーの単位画素及び受光素子が提供される。光を吸収する受光素子は、フローティングした構造で形成され、光を吸収する受光部と、前記受光部の一面に接するように形成される酸化膜と、前記酸化膜の他面の一側に接するように形成され、前記酸化膜を介在して前記受光部と隔たって形成されるソースと、前記酸化膜の他面の他側に接するとともに前記ソースと対向するように形成され、、前記酸化膜を介在して前記受光部と隔たって形成されるドレインと、前記ソースとドレインとの間に形成され、前記ソースとドレインとの間に電流の流れを形成するチャンネルと、を含んでなり、前記受光部は第１型の不純物でドープされ、前記ソース及び前記ドレインは第２型の不純物でドープされ、前記受光部は、前記酸化膜により前記ソース及び前記ドレインから絶縁され、受光した光により生成された電子−正孔対（ＥＨＰ）の電子は、前記酸化膜での集中した電界によるトンネリング現象により前記ソース及びドレインに放出され、前記電子の放出による前記受光部の電荷量の変化によって前記チャンネルの電流の流れが制御される。【選択図】図１ |
