| 摘要 |
Gehäuse für einen Halbleiter-Nacktchip (Die), umfassend: einen Halbleiter-Nacktchip, der aktive Schaltungen in der Nähe einer Vorderseite des Nacktchips aufweist und eine gegenüber der Vorderseite liegende Rückseite aufweist, ein Bauelementen-Substrat in der Nähe der Rückseite des Nacktchips, eine Vielzahl von passiven elektrischen Bauelementen auf dem Bauelementen-Substrat, und einen leitfähigen Pfad, um ein passives Bauelement mit den aktiven Schaltungen zu verbinden, wobei der Nacktchip ein Siliziumsubstrat zwischen der Vorderseite und der Rückseite aufweist und wobei der leitfähige Pfad eine Silizium-Durchkontaktierung (Through-Silicon-Via) durch den Nacktchip von der Rückseite zu der aktiven Schaltung ist. |
