| 摘要 |
本開示は、一般式ＭｙＳｂ−Ｍ′Ｏｘ−Ｃを伴うアノード材料に関し、式中ＭおよびＭ′は、金属であって、Ｍ′Ｏｘ−Ｃは、ＭｙＳｂを含有する基質を形成する。また、一般式ＭｙＳｎ−Ｍ′Ｃｘ−Ｃを伴うアノード材料に関し、式中、ＭおよびＭ′は、金属であって、Ｍ′Ｃｘ−Ｃは、ＭｙＳｎを含有する基質を形成する。さらに、一般式Ｍｏ３Ｓｂ７−Ｃを伴うアノード材料に関し、式中、−Ｃは、Ｍｏ３Ｓｂ７を含有する基質を形成する。本開示はまた、一般式ＭｙＳｂ−Ｍ′Ｃｘ−Ｃを伴うアノード材料に関し、式中、ＭおよびＭ′は、金属であって、Ｍ′Ｃｘ−Ｃは、ＭｙＳｂを含有する基質を形成する。本開示の他の実施形態は、これらの材料を含有するアノードまたは再充電可能バッテリならびにボールミリング技法および加熱炉を使用して、これらの材料を作製する方法に関する。 |
