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Eine Bypass-Diode (201) umfasst ein Halbleitersubstrat (1) mit einer ersten Oberfläche (31) und einer zweiten Oberfläche (32), welche sich gegenüberliegen, eine p-Elektrode (4) als eine Elektrode eines ersten Leitungstyps und eine n-Elektrode (5) als eine Elektrode eines zweiten Leitungstyps, welche auf der ersten Oberfläche (31) angeordnet sind, eine Rückseitenelektrode (7), welche auf der zweiten Oberfläche (32) angeordnet ist und eine zu der des Halbleitersubstrats (1) identische Polarität aufweist, eine auf der ersten Oberfläche (31) angeordnete erste Oxidschicht (12a) und eine auf der zweiten Oberfläche (32) angeordnete zweite Oxidschicht (12b). |
