| 发明名称 |
ゲート間結合比の改善された浮動ゲートと結合ゲートを有する不揮発性メモリセル |
| 摘要 |
スプリットゲートを有する不揮発性メモリセルにおいて、浮動ゲートと結合／制御ゲートが相補的な非平面状の形状を有している、不揮発性メモリセル。形状は、段形状としてもよい。その様なセルのアレイ及びセルを製造する方法も開示されている。【選択図】図２ |
| 申请公布号 |
JP2014529907(A) |
申请公布日期 |
2014.11.13 |
| 申请号 |
JP20140528393 |
申请日期 |
2012.07.16 |
| 申请人 |
シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドＳＩＬＩＣＯＮ ＳＴＯＲＡＧＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ， ＩＮＣ． |
发明人 |
ワン チュンミン;チャオ バオウェイ;ジャン ズファ;ジャン イー;ワン シウ リュン;ルー ウェン−ジュイ |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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