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<p>Verfahren, umfassend: Ausbilden einer ersten Diffusionsstruktur (104B) auf einem Substrat (102), wobei die erste Diffusionsstruktur (104B) eine Oberseite und zwei auf entgegengesetzten Seiten angeordnete Seitenwände aufweist; Ausbilden einer zweiten Diffusionsstruktur (104C) auf dem Substrat (102) in einem Abstand zu der ersten Diffusionsstruktur, wobei die zweite Diffusionsstruktur (104C) eine Oberseite und zwei auf entgegengesetzten Seiten angeordnete Seitenwände aufweist; Ausbilden von Abstandhaltern (806) auf den Seitenwänden der ersten Diffusionsstruktur (104B) und der zweiten Diffusionsstruktur (104C), wobei ein Abstandhalter (806) auf der ersten Diffusionsstruktur (104B) und ein Abstandhalter (806) auf der zweiten Diffusionsstruktur (104C) durch ein Volumen voneinander getrennt sind; Füllen des Volumens mit einem Isoliermaterial (802), wodurch eine selbstausgerichtete isolierende Isolierstruktur (110B) auf dem Substrat (102) zwischen der ersten und der zweiten Diffusionsstruktur (104B, 104C) ausgebildet wird; Ausbilden einer ebenen Oberfläche des Isoliermaterials (802), der Abstandhalter (806) und Abschnitten einer Hartmaske (508) auf den Diffusionsstrukturen (104B, 104C) durch Einebnen, Entfernen der Abstandhalter (806) auf den Seitenwänden der ersten und zweiten Diffusionsstruktur (104B, 104C), wodurch ein leerer Raum zwischen den Diffusionsstrukturen (104B, 104C) und der Isolierstruktur (110B) gebildet wird; Einbringen eines leitfähigen Materials (1102) in den leeren Raum zum Ausbilden eines ersten selbstausgerichteten Transistor-Gates (106A) auf der ersten Diffusionsstruktur (104B) und eines zweiten selbstausgerichteten Transistor-Gates (106B) auf der zweiten Diffusionsstruktur (104B), wobei die Isolierstruktur (110B) einen Abstand (112) zwischen dem ersten und dem zweiten Gate definiert und wobei die Oberseite der Isolierstruktur (110B) im wesentlichen koplanar mit den Oberseiten des ersten und zweiten Transistor-Gates (106A, 106B) ist.</p> |
