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<p>Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem Substrat (1) mit mindestens einem Halbleiterbauelement (3a, 3b), mit einem Gehäuse (9), mit einer Druckeinrichtung (4) und mit nach außen führenden Last- (50, 52, 54) und Hilfsanschlusselementen (6, 60, 62), wobei das Substrat (1) einen Isolierstoffkörper (10) aufweist und auf dessen erster dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandten Hauptfläche Leiterbahnen (2a, 2b) mit Last- und Hilfspotentialen angeordnet sind, wobei die dem Inneren des Leistungshalbleitermoduls zugewandte Hauptfläche des Substrats im Bereich der angeordneten Leiterbahnen (2a, 2b) an mindestens zwei nicht von Leistungshalbleiterbauelementen überdeckten Bereichen mindestens zwei Aussparungen (7a, 7b, 7c, 7d) aufweist und die Druckeinrichtung (4) an ihrer dem Substrat zugewandten Seite an mindestens zwei Stellen den Aussparungen zugeordnete und darin form- und/oder kraftschlüssig angeordnete Rastnasen (8a, 8b, 8c, 8d) aufweist.</p> |
