发明名称 电流施加装置
摘要 本发明提供一种电流施加装置,其在被施加了异常时的大电流的情况下,接触电极先被破坏。探测器装置(1)将与功率半导体(100)的表面(100f)接触而施加电流的接触体(2)和按压接触体(2)的按压体组件(3)串联连接,向功率半导体(100)施加电流,且构成为:在被施加于按压体组件(3)的按压体功率I<sup>2</sup>·R<sub>1</sub>小于耐受功率W<sub>1</sub>时,被施加于接触体(2)的接触体功率I<sup>2</sup>·R<sub>2</sub>大于耐受功率W<sub>2</sub>。
申请公布号 CN104142462A 申请公布日期 2014.11.12
申请号 CN201410110734.5 申请日期 2014.03.24
申请人 本田技研工业株式会社 发明人 赤堀重人;神原将郎
分类号 G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种电流施加装置,其将与半导体的表面接触而施加电流的接触电极和按压所述接触电极的按压体串联连接,来向所述半导体施加电流,该电流施加装置的特征在于,其构成为:在被施加于所述按压体的按压体功率小于所述按压体的耐受功率时,被施加于所述接触电极的接触电极功率大于所述接触电极的耐受功率。
地址 日本东京都