互连结构的形成方法

摘要

一种互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层，层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料；在金属硬掩膜层中形成第一开口，第一开口贯穿金属硬掩膜层；以剩余的金属硬掩膜层为掩模，刻蚀介质硬掩膜层和层间介质层，直至在层间介质层中形成刻蚀结构，刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在刻蚀结构中填充满牺牲层；依次去除剩余的金属硬掩膜层和牺牲层；在刻蚀结构中填充满金属材料。本发明所形成金属互连线、金属插塞或者双镶嵌结构的形貌较佳，且包含所形成金属互连线、金属插塞或者双镶嵌结构的半导体器件的性能较佳。

主权项

一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层、介质硬掩膜层和金属硬掩膜层，所述层间介质层的材料为低k材料或者超低k材料；在所述金属硬掩膜层中形成第一开口，所述第一开口贯穿所述金属硬掩膜层；以剩余的所述金属硬掩膜层为掩模，刻蚀所述介质硬掩膜层和层间介质层，直至在所述层间介质层中形成刻蚀结构，所述刻蚀结构包括通孔和沟槽中的一种或其组合；在所述刻蚀结构中填充满牺牲层；依次去除剩余的所述金属硬掩膜层和所述牺牲层；在所述刻蚀结构中填充满金属材料。