发明名称 |
电介质材料处理系统和操作方法 |
摘要 |
一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统,其中,低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块,所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射,例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。 |
申请公布号 |
CN102159330B |
申请公布日期 |
2014.11.12 |
申请号 |
CN200980136347.6 |
申请日期 |
2009.09.14 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
刘俊军;雅克·法戈特;埃里克·M·李;多雷尔·I·托玛;岳红宇 |
分类号 |
B05D3/06(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;B05B5/025(2006.01)I |
主分类号 |
B05D3/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有 |
主权项 |
一种用于处理衬底上的电介质膜的处理模块,其包括:处理室;衬底支架,其连接到所述处理室,并构造成支承衬底,在所述衬底上具有电介质膜;和辐射源,其连接到所述处理室,并构造成将所述电介质膜暴露于电磁(EM)辐射,其中,所述辐射源包括一个或多个红外(IR)源,并且其中,所述一个或多个IR源中的每一个都包括具有窄波段的单色的电磁(EM)辐射,所述电磁(EM)辐射包含在9微米至10微米的光谱范围内的波长的EM辐射,其中所述辐射源还包括光学系统,并且所述光学系统还包括:光束定尺寸设备,其构造成调整EM辐射光束的尺寸,其中所述处理模块还包括辐射扫描设备,其连接到所述处理室,并构造成使来自所述IR辐射源的所述一个或多个IR光束移动,以沿着所述衬底扫描来自所述IR辐射源的所述一个或多个IR光束。 |
地址 |
日本东京都 |