| 发明名称 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L1<sub>0</sub>结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、-120千卡/摩尔O<sub>2</sub>以下的元素。该热辅助磁记录介质具有磁性晶粒均匀、并且磁性粒子间的交换耦合充分弱的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102208192B | 申请公布日期 | 2014.11.12 |
| 申请号 | CN201110076895.3 | 申请日期 | 2011.03.29 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 神边哲也;桥本笃志;福岛隆之 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01)I;G11B5/48(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 一种热辅助磁记录介质，其包含：基板；形成于该基板上的多个基底层；和含有具有L1<sub>0</sub>结构的合金作为主成分的磁性层，其特征在于，该基底层的至少一个含有MgO作为主成分，并且，含有在1000℃下的氧化自由能为每1摩尔氧、‑120千卡/摩尔O<sub>2</sub>以下的元素，该元素是选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Zr和B中的至少一种元素的单体，该元素的含量基于MgO与该元素的合计为2原子％以上、40原子％以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||