发明名称 |
一种金属纳米叉指光栅的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种金属纳米叉指光栅的制备方法,其包括以下步骤:步骤A:在清洗好的衬底基片上,采用镀膜设备生长一定厚度的金属膜;步骤B:对所述金属膜旋涂光刻胶,采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅;步骤C:采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上;步骤D:在热丙酮溶液中洗去金属膜和叉指光栅上的残胶,再使用微波等离子体去胶机去掉残留有机物。上述制备方法采用了电子束光刻和离子束刻蚀技术,能够实现纳米尺寸的结构加工,精确控制叉指型金属光栅的结构周期,有效的改变光栅的结构周期,缝宽及线宽;且通过本方法制备的叉指光栅,兼有纳米电极和纳米光栅的两种功能。 |
申请公布号 |
CN104142530A |
申请公布日期 |
2014.11.12 |
申请号 |
CN201310301646.9 |
申请日期 |
2013.07.18 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
李俊杰;孙伟杰;李林;全保刚;夏晓翔;顾长志 |
分类号 |
G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 |
代理人 |
王艺 |
主权项 |
一种金属纳米叉指光栅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤A:在清洗好的衬底基片上,采用镀膜设备生长金属膜;步骤B:对所述金属膜旋涂光刻胶,采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅;步骤C:采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上;步骤D:洗去金属膜和叉指光栅上的残胶,以及去掉上面的残留有机物。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街八号 |