阵列基板及其制造方法、显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。该阵列基板的制造方法对现有的以横向电场或多维电场作为驱动的TFT-LCD阵列基板制造工艺进行了改进，使得公共电极线与栅线不同层分布，从而在不影响光透过率的前提下，可以提高公共电极线的线宽，降低了公共电极线的阻抗，有利于公共电极电压的均匀性和电压波动的快速衰减。同时还使得数据线与公共电极线之间无交叠电容，且数据线与透明公共电极的间距变大，其耦合电容减小，显著降低了数据信号对公共电极网络电压的串扰，进而使公共电极电压均匀、稳定，大大提高了显示质量。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在一衬底基板上形成包括透明公共电极图案和公共电极线图案；S2、在完成步骤S1的衬底基板上形成一公共电极绝缘层薄膜；S3、在完成步骤S2的衬底基板上形成包括栅极图案和栅线图案；S4、在完成步骤S3的衬底基板上依次形成栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属层薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、源极、漏极和数据线的图案；S5、在完成步骤S4的衬底基板上形成一钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图案，所述钝化层过孔位于所述漏极的上方；S6、在完成步骤S5的衬底基板上形成包括像素电极图案，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏极连接。