发明名称 对多晶硅的精细电阻调节
摘要 一种由多晶硅电阻器分段形成的电阻器串数模转换器,其中对各个分段施加了电场。该方法提高了整体准确度。
申请公布号 CN101924560B 申请公布日期 2014.11.12
申请号 CN201010169939.2 申请日期 2010.04.23
申请人 英特赛尔美国股份有限公司 发明人 A·莫塔蒙德
分类号 H03M1/66(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H03M1/66(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种数模转换器装置,包括:以串的方式连接的多个电阻性元件,所述电阻性元件包括多个电阻性分段,并且所述电阻性分段包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极;多个电场施加器电路,所述多个电场施加器电路中的每一个耦合至所述电阻性元件中相应的一个,从而至少两个电阻性元件耦合有电场施加器电路,所述电场施加器电路包括设置在多个电阻性分段中的每一个下方的扩散阱;以及(a)设置在所述电阻性分段的每一个上方的金属板或(b)设置在所述电阻性分段的每一个上方的一组多晶硅分段,用于响应于相应的控制电压而产生电场以调节电压系数,从而调节相应的耦合的电阻性元件的电阻值;控制电压发生器,所述控制电压发生器用于将第一组控制电压施加到设置在多个电阻性分段中的每一个下方的扩散阱上,将不同的第二组控制电压施加到(a)设置在所述电阻性分段的每一个上方的金属板或(b)设置在所述电阻性分段的每一个上方的一组多晶硅分段,以及将第三组控制电压施加到所述MOS晶体管的源极和漏极,其中所述控制电压发生器还包括:存储器,所述存储器用于存储表示所述控制电压的数字信息;以及辅助数模转换器,所述辅助数模转换器从所述存储器接收所述数字信息,并为所述控制电压发生器产生所述控制电压。
地址 美国加利福尼亚州