存储装置及其制造方法

摘要

实施方式涉及存储装置及其制造方法。存储装置具备：第1信号线、第2信号线、晶体管、第1存储区域和第2存储区域。晶体管对在第1、第2信号线之间流动的第1方向及相反的第2方向的电流的导通进行控制。第1存储区域连接于第1信号线与晶体管的一端之间，具有若在第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则成为反平行的第1磁性隧道接合元件。第2存储区域连接于第2信号线与晶体管的另一端之间，具有若在第2方向流动比第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行、若在第1方向流动比第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则成为反平行的第2磁性隧道接合元件。

主权项

一种存储装置，其特征在于，具备： 第1信号线； 第2信号线； 晶体管，其对在前述第1信号线与前述第2信号线之间流动的第1方向的电流及与前述第1方向相反的第2方向的电流的各自的导通进行控制； 第1存储区域，其连接于前述第1信号线与前述晶体管的一端之间，具有第1磁性隧道接合元件，该第1磁性隧道接合元件若在前述第1方向流动第1平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第2方向流动第1反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行；以及 第2存储区域，其连接于前述第2信号线与前述晶体管的另一端之间，具有第2磁性隧道接合元件，该第2磁性隧道接合元件若在前述第2方向流动比前述第1平行阈值大的第2平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为平行，若在前述第1方向流动比前述第1反平行阈值大的第2反平行阈值以上的电流则磁化的朝向成为反平行。