| 发明名称 | 功率半导体装置和用于制造其的方法 | ||
| 摘要 | 提供第一传导类型的晶片（1），该晶片具有第一主侧（11）和与该第一主侧（11）相对的第二主侧（15），在第二主侧（15）上施加以下中的至少一个：第一传导类型的掺杂剂，用于形成第一传导类型的层（2’），和第二传导类型的掺杂剂，用于形成第二传导类型的层（2），之后在第二主侧（15）上沉积钛层（3），使钛沉积层（3）激光退火使得同时在钛沉积层（3）与晶片（1）之间的界面处形成金属间复合层（35）并且掺杂剂扩散到晶片（1）内，在第二侧（15）上形成第一金属电极层（4）。 | ||
| 申请公布号 | CN104145339A | 申请公布日期 | 2014.11.12 |
| 申请号 | CN201380012983.4 | 申请日期 | 2013.03.01 |
| 申请人 | ABB技术有限公司 | 发明人 | M.拉希莫;C.科瓦斯塞;J.沃贝克;Y.奧塔尼 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 易皎鹤;汤春龙 |
| 主权项 | 一种用于制造功率半导体装置的方法，包括下列步骤：‑提供第一传导类型的晶片（1），该晶片具有第一主侧（11）和与所述第一主侧（11）相对的第二主侧（15），具有未更改掺杂浓度的该晶片的部分形成漂移层（10），‑在所述第二主侧（15）上施加以下中的至少一个：所述第一传导类型的掺杂剂，用于形成所述第一传导类型的层（2’），和第二传导类型的掺杂剂，用于形成所述第二传导类型的层（2），所述第二传导类型与所述第一传导类型不同，‑之后在所述第二主侧（15）上沉积钛沉积层（3），‑使所述钛沉积层（3）激光退火使得同时在所述钛沉积层（3）与所述晶片（1）之间的界面处形成金属间复合层（35）并且所述至少一个掺杂剂扩散到所述晶片（1）内，‑在所述第二侧（15）上形成第一金属电极层（4）。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||