发明名称 |
一种晶圆硅通孔结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于微电子技术领域,公开了一种晶圆硅通孔结构,所述晶圆硅通孔结构包括:通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔;所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上;所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层;所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面;所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接;所述硅衬底内,所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔,降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应;同时大大削弱通孔周围的电场密度,从而降低通孔的高频损耗。 |
申请公布号 |
CN104143544A |
申请公布日期 |
2014.11.12 |
申请号 |
CN201410232738.0 |
申请日期 |
2014.05.29 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
李宝霞 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种晶圆硅通孔结构,其特征在于,所述晶圆硅通孔结构包括:通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔;所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上;所述通孔钝化层为通孔壁,用于填孔金属与硅衬底的绝隔绝;所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面;所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接;所述硅衬底内,在所述通孔钝化层外围设置空腔。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |