| 发明名称 | 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub>非晶层(12)；在未被Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub>非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104141171A | 申请公布日期 | 2014.11.12 |
| 申请号 | CN201410337785.1 | 申请日期 | 2014.07.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵丹梅;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B25/22(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，包括：‑在Si衬底(10)上形成的缓冲层(11)；‑在缓冲层(11)上形成的GaN外延层(18)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||