发明名称 液晶显示设备和电子设备
摘要 本发明涉及液晶显示设备和电子设备。为了减少液晶显示设备的功耗并且抑制液晶显示设备的显示劣化。为了抑制由诸如温度的外部因素引起的显示劣化。将其沟道形成区是使用氧化物半导体层形成的晶体管用于设置在每个像素中的晶体管。注意,通过利用高纯度氧化物半导体层,该晶体管在室温下的断态电流可以是10aA/μm或更小,并且在85℃下的断态电流可以是100aA/μm或更小。结果,可以减少液晶显示设备的功耗并且可以抑制显示劣化。此外,如上所述,该晶体管在高达85℃的温度下的断态电流可以是100aA/μm或更小。因此,可以抑制由诸如温度的外部因素引起的液晶显示设备的显示劣化。
申请公布号 CN103219390B 申请公布日期 2014.11.12
申请号 CN201310098260.2 申请日期 2010.11.19
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种液晶显示设备,包括:布置成矩阵形式的多个像素,所述多个像素包括:晶体管,所述晶体管的开关由扫描线驱动器电路控制;液晶元件,图像信号从信号线驱动器电路经由所述晶体管被输入至所述液晶元件的一个端子,公共电势被供给至所述液晶元件的另一个端子,使得被施加对应于所述图像信号的电压;以及电容元件,所述电容元件保持施加至所述液晶元件的电压,其中,所述液晶显示设备包括控制所述扫描线驱动器电路和所述信号线驱动器电路的操作并且选择所述图像信号至所述像素的输入的控制电路,其中,所述晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层构成,其中,所述图像信号经由截止状态下的所述晶体管的泄漏的量小于所述图像信号经由所述液晶元件的泄漏的量,其中,在室温下每1微米的沟道宽度的所述晶体管的断态电流为10aA/μm以下,并且其中,在85℃下每1微米的沟道宽度的所述晶体管的断态电流为100aA/μm以下。
地址 日本神奈川