发明名称 |
多位元单元非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种多位元单元(multi-bit per cell)非挥发性存储器的使用新顺序的二次写入方法。使用非挥发性存储器的控制器,对一特定字元线的至少一页,以写入数据进行一次写入。再以控制器对该特定字元线前的至少一页,以相同写入数据进行二次写入。 |
申请公布号 |
CN102314947B |
申请公布日期 |
2014.11.12 |
申请号 |
CN201010236601.4 |
申请日期 |
2010.07.23 |
申请人 |
擎泰科技股份有限公司 |
发明人 |
黄汉龙;周铭宏;黄建福;卓世耿 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种多位元单元非挥发存储器使用新顺序的写入方法,其特征在于其包含:以连续方式,写入多个较低有效位元页;及以连续方式,一页接着一页地写入多个连续字元线的最高有效位元页;其中所述的写入该较低有效位元页的步骤包含:在该非挥发性存储器的至少一存储器区块中,对于所有字元线进行低位元页的写入;其中所述的写入连续最高有效位元页的步骤包含:对于该存储器区块中的字元线进行高位元页的写入。 |
地址 |
中国台湾新竹市力行一路10-1号6楼 |