发明名称 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法
摘要 本发明提出一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法,包括:扫描线;信号线,与扫描线纵横交叉,像素单元,由扫描线和信号线交叉限定,所述每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管包括与TFT栅极、TFT源极、以及TFT漏极,所述TFT源极、TFT漏极及像素电极位于底层;栅格状共通电极,位于顶层;第一绝缘层,覆盖在TFT源极、TFT漏极和像素电极之上;共通电极线,与所述栅格状共通电极线电性连接;第二绝缘层,覆盖在信号线、扫描线和共通电极线之上。本发明以金属氧化物作为TFT沟道半导体、源漏电极、栅格状像素电极或栅格状共通电极使用,可以提高TFT驱动能力和简化工艺。
申请公布号 CN102854686B 申请公布日期 2014.11.12
申请号 CN201210364179.X 申请日期 2012.09.26
申请人 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 发明人 焦峰
分类号 G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 G02F1/1368(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步:在基板上以底层金属氧化物层先形成源漏极连接线,再形成第一绝缘层;第二步:在形成第一步图案的基础以金属形成信号线、扫描线、共通电极线与TFT栅极的图案;第三步:在形成第二步图案的基础上形成第二绝缘层,并在信号线、扫描线、共通电极线、源漏极连接线的相应位置上形成接触孔图形;第四步:在第二绝缘层以透明ITO层形成信号线连接线、与信号线连接线连接的TFT源极、TFT漏极、与TFT漏极连接的像素电极、与共通电极线连接的共通电极线端子连接线、以及与扫描线连接的扫描线端子连接线;第五步:在形成第四步图案的基础上形成第三绝缘层,并共通电极线的相应位置上形成接触孔图形;第六步:在第三绝缘层上形成栅格状共通电极图形,通过共通电极线上的接触孔连接栅格状共通电极与共通电极线。
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