包括改进的物理不可克隆功能块的令牌

摘要

本发明涉及令牌(100)、包括令牌的集成电路(200)、对令牌进行随机化的方法、用于对令牌进行随机化的系统(500、502)。令牌包括物理不可克隆功能块(10、12、14、16、18)，并且包括用于探测物理不可克隆功能块的探测装置(110)。物理不可克隆功能块包括电容器(20、22)，包括电介质(30、32)，至少部分地布置在电容器的电极(20A、20C；22A、22C)之间。电介质被配置为贡献电容器的电容值，包括实质上随机分散在电介质中的导电粒子(40、42；40A、40B、40C)。导电粒子包括相变材料，在第一结构状态(40A、40C)与第二结构状态(40B)之间可改变，第一结构状态(40A、40C)具有第一导电性，第二结构状态(40B)具有第二导电性，第二导电性不同于第一导电性。

主权项

一种令牌(100)，其包括物理不可克隆功能块(10、12、14、16、18)，并且包括探测装置(110)，用于探测物理不可克隆功能块(10、12、14、16、18)，以响应于所述探测而获得唯一响应，所述物理不可克隆功能块(10、12、14、16、18)包括电容器(20、22)，电容器包括电介质(30、32)，所述电介质(30、32)至少部分地被布置在所述电容器(20、22)的电极(20A、20C；22A、22C)之间，并且被配置为贡献所述电容器(20、22)的电容值，所述电介质(30、32)包括导电粒子(40、42；40A、40B、40C)，所述导电粒子(40、42；40A、40B、40C)随机分散在所述电介质(30、32)中，所述导电粒子(40、42；40A、40B、40C)包括相变材料，可在第一结构状态(40A，40C)与第二结构状态(40B)之间改变，所述第一结构状态(40A，40C)具有第一导电性，所述第二结构状态(40B)具有第二导电性，所述第二导电性不同于所述第一导电性。