一种CVD石墨烯-SiC薄膜的太阳能光伏硅片

摘要

本发明公开了一种CVD石墨烯-SiC薄膜的太阳能光伏硅片，其特征在于由硅片和覆盖在其表面的石墨烯薄膜构成。所述的硅片为单晶硅、多晶硅或带状硅中的一种。所述的石墨烯薄膜上有SiC、CSiC或Si的一种或多种官能团，石墨烯薄膜厚度为10-1000nm，石墨烯薄膜与硅片外延粘接。该材料中由于SiC、CSiC或Si的一种或多种官能团的加入能够使石墨烯薄膜与基体紧密结合，且该石墨烯-SiC薄膜具有90％以上的透光率，并且对红外光有强烈的吸收，能够显著提高光电转化效率。

主权项

一种CVD石墨烯‑SiC薄膜的太阳能光伏硅片，其特征在于由硅片和覆盖在其表面的石墨烯薄膜构成。