一种低浓度磷掺杂工艺

摘要

发明提供了一种低浓度磷掺杂工艺，包括进片，回温，前氧化，通磷源，低温扩散，升温推阱，高温推阱，梯度降温和出片等步骤，和传统工艺相比，该工艺减少磷源耗量，比常规工艺开压提升2-3mv，效率提升约0.1%。

主权项

一种低浓度磷掺杂工艺，其特征在于包括以下步骤：1）进片：使用碳化硅桨将装有硅片的石英舟放入扩散炉石英管内，退出碳化硅桨，并关上炉门；2）回温：回温700‑800s，使炉内温度为800‑850℃；3）前氧化：在石英管内通氧气，对硅片进行氧化，氧气流量为1500‑2000ml/min，时间为600‑700s；4）通磷源：继续向石英管内通入氧气，流量不变，同时通入三氯氧磷，三氯氧磷流量为1500‑2000ml/min，时间为500‑600s；5）低温扩散：逐渐降低炉内温度之700‑750℃，持续400‑500s；6）升温推阱：逐渐升高炉内温度至850‑900℃，持续500‑600s；7）高温推阱：维持当前高温度下进行扩散，持续300‑400s；8）梯度降温：以每3s降1‑2°的梯度降温，使炉内温度降至800‑850℃，析出杂质；9）出片：使用碳化硅桨将石英舟和硅片拉出。