| 发明名称 | 电流施加方法和电流施加装置 | ||
| 摘要 | 提供一种电流施加方法和电流施加装置，防止因半导体内的残留电力所引起的半导体的破坏。一种对功率半导体(100)施加电流的电流施加方法，该功率半导体具有：第1信号引脚用接触区域(102)，其导通第1电流；和接触体用接触区域(101)，其与第1信号引脚用接触区域(102)电连接，且导通第2电流，该电流施加方法包括：步骤S1，使探头装置(1)的第1信号引脚(32)与第1信号引脚用接触区域(102)接触，将残留在第1信号引脚用接触区域(102)和接触体用接触区域(101)中的残留电力除去；和步骤S3、S4，在步骤S1后，使探头装置(1)的接触体(2)的接触部(21)与接触体用接触区域(101)接触，导通第1电流和第2电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104142412A | 申请公布日期 | 2014.11.12 |
| 申请号 | CN201410186841.6 | 申请日期 | 2014.05.05 |
| 申请人 | 本田技研工业株式会社 | 发明人 | 赤堀重人;神原将郎 |
| 分类号 | G01R1/067(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | G01R1/067(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;黄纶伟 |
| 主权项 | 一种电流施加方法，其是对半导体施加电流的电流施加方法，所述半导体具有：第1电流通电部，其导通第1电流；和第2电流通电部，其与所述第1电流通电部电连接，且导通第2电流，所述电流施加方法的特征在于，所述电流施加方法包括：残留电力除去工序，使电流施加装置的第1电极与所述第1电流通电部接触，将残留在所述第1电流通电部和所述第2电流通电部中的残留电力除去；和主电流通电工序，在所述残留电力除去工序后，使所述电流施加装置的第2电极与所述第2电流通电部接触，导通所述第1电流和所述第2电流。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||