用于改善接地性能的CMOS图像传感器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种用于改善接地性能的CMOS图像传感器及其制作方法，所述用于改善接地性能的CMOS图像传感器包括：半导体外延层；作为电荷收集区的第二导电类型半导体区；第一导电类型半导体阱；位于所述第一导电类型半导体阱上方的栅极；设置于所述第二导电类型区周围的隔离区；设置于所述第二导电类型区上方的隔离层。所述隔离层为第一导电类型半导体层，并且所述隔离层与所述第一导电类型半导体阱在所述栅极下方连成一体，实现电性连接，从而使所述隔离层、第一导电类型半导体阱以及所述半导体外延层保持等电位。本发明通过隔离层与栅极下方的半导体阱电性连接更有效地改善CMOS图像传感器接地性能并且能够简化传感器的制造工艺。

主权项

一种用于改善接地性能的CMOS图像传感器，包括：半导体外延层，其具有上表面；第二导电类型半导体区，其设置于所述半导体外延层的上表面下方的预设深度内，所述第二导电类型半导体区与其周围的第一导电类型半导体区构成光电二极管；第一导电类型半导体阱，其设置于所述半导体外延层上表面下方的预设深度内；栅极，其位于所述第一导电类型半导体阱的上方；隔离区，其设置于所述第二导电类型区的周围；隔离层，其设置于所述半导体外延层的上表面下方的预设深度内，并且位于所述第二导电类型半导体区上方，其特征在于，所述隔离层为第一导电类型半导体层，并且所述隔离层与所述第一导电类型半导体阱在所述栅极下方连成一体，实现电性连接，从而使所述隔离层、第一导电类型半导体阱以及所述半导体外延层保持等电位。