芯片平坦化方法

摘要

本发明公开了一种芯片平坦化方法，包括如下步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有金属层，该金属层具有初始厚度；采用第一下压力及第一转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从初始厚度研磨至第一目标厚度；以及采用第二下压力及第二转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从第一目标厚度研磨至第二目标厚度，其中，第二下压力小于第一下压力，第二转台转速与第一转台转速相同。本发明通过先采用大的下压力高转速研磨金属层，然后再采用小的下压力相同的转速研磨金属层，既能够提高硅衬底表面全局平坦化，也能够提高芯片表面平坦化，进而提高半导体器件的良率。本发明芯片平坦化方法也可以先采用小的下压力高转速研磨金属层，然后再采用大的下压力相同的转速研磨金属层。

主权项

一种芯片平坦化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有金属层，该金属层具有初始厚度；采用第一下压力及第一转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从初始厚度研磨至第一目标厚度；以及采用第二下压力及第二转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从第一目标厚度研磨至第二目标厚度，其中，第二下压力小于第一下压力，第二转台转速与第一转台转速相同。