半导体装置及用于制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及用于制造半导体装置的方法。抑制了凹部中的空隙的产生。用于制造半导体装置的方法包括：在绝缘膜中形成凹部的操作，该绝缘膜形成在半导体衬底上；在凹部中形成晶种膜的操作；在凹部中形成覆盖金属膜的操作；选择性地移除覆盖金属膜以在凹部的底部上露出晶种膜的操作；以及，通过利用凹部的底部中露出的晶种膜作为晶种来执行镀膜的生长以填充凹部的操作。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括：制备具有凹部和晶种膜的衬底，所述晶种膜在所述凹部的底部露出；在所述凹部中的底部和侧表面部上形成覆盖金属膜，所述覆盖金属膜具有低于所述晶种膜的镀淀积能力；选择性地移除所述覆盖金属膜以在所述凹部的底部上露出所述晶种膜；以及通过利用在所述凹部的底部上露出的所述晶种膜的部分作为晶种来进行镀膜的生长以填充所述凹部。