发明名称 电浆处理装置,电浆处理方法及记忆媒体
摘要 本发明的课题是在电浆处理装置中,大幅度改善充电损伤的发生,而实现电浆处理的安定性及可靠度的提升,且实现电浆处理的面内均一性的提升。;其解决手段是在真空排气可能的处理容器(10)中平行配置上部电极(38)与下部电极(12),从第1高频电源(32)经由第1整合器(34)来对下部电极(12)施加第1高频。控制部(68)是控制第1高频电源(32),而使有助于电浆生成的第1高频具有使电浆生成的第1振幅之第1期间、与具有不使电浆实质生成的第2振幅之第2期间能够以所定的周期来交替重复。
申请公布号 TWI460786 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW097131282 申请日期 2008.08.15
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 松土龙夫;桧森慎司;今井范章;大濑刚;阿部淳;胜沼隆幸
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种电浆蚀刻方法,系使用电浆蚀刻装置,在上述处理空间生成上述处理气体的电浆,而对上述被处理体实施蚀刻处理之电浆蚀刻方法,该电浆蚀刻装置系具有:处理容器,其系可真空排气;第1电极,其系于上述处理容器内载置被处理体;第2电极,其系于上述处理容器内与上述第1电极平行相对,且被接地;处理气体供给部,其系供给含O2气体的处理气体至上述第1电极与上述第2电极之间的处理空间;第1高频给电部,其系对上述第1电极施加具有30MHz以上的频率之第1高频,其特征为:具有:藉由第1期间及第2期间周期性地重复,而来蚀刻具有闸极氧化膜上的多晶矽膜的被处理体之阶段,在上述第1期间中,高频电力系以由上述处理气体生成电浆的第1振幅来供给至上述第1电极,在上述第2期间中,上述高频电力系以不生成电浆的第2振幅来施加于上述第1电极,上述第1期间的长度为2μsec~50μsec,上述第2期间的长度为2μsec以上,上述周期的长度为4μsec~200μsec。
地址 日本