发明名称 半导体制造装置之气体供应系统
摘要 一种根据本发明之气体供应系统包括一配置于一气体供应流道中之气体过滤器,通过该气体供应流道向一半导体制造装置供应一气体,及一配置于该气体供应流道中相对于该气体过滤器在下游处之金属成分去除器,其藉由将一挥发性金属成分液化来去除流过该气体供应流道之气体中所含有之挥发性金属成分。该气体供应系统中所采用之结构阻止当气体供应流道向半导体制造装置供应腐蚀性气体时挥发性金属成分进入半导体制造装置中,该挥发性金属成分不能藉由气体过滤器来消除。
申请公布号 TWI460804 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW097112673 申请日期 2008.04.08
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 守谷修司;中尾贤
分类号 H01L21/67;B01D46/00 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种气体供应系统,经由一气体供应流道向一半导体制造装置供应一特定气体,且包括:一气体过滤器,其配置于该气体供应流道中;及一金属成分去除器,其于该气体供应流道中相对于该气体过滤器所安装之位置配置于更下游侧,藉由将流过该气体供应流道之气体中所含有之一挥发性金属成分液化,以去除该挥发性金属成分。
地址 日本