一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体

摘要

一种晶圆级半导体晶片封装方法被提供，该方法包含如下之步骤：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个电气接点形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；于所有晶片区域之形成表面上涂布一个光阻层，藉着曝光与显影处理，该光阻层形成有数个各曝露一对应之电气接点的曝露孔；于该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；把该光阻层移除并且在该等晶片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层；研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止；在该保护层的表面上涂布一个钝化层，该钝化层是透过曝光和显影处理来形成有数个各曝露一对应之导电触点的曝露孔；于该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层之每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；及把该钝化层移除。

主权项

一种半导体晶片封装方法，包含如下之步骤：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个半导体基体，每个半导体基体具有一个电气接点形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；于所有晶片区域之半导体基体的形成表面上涂布一个光阻层，藉着曝光与显影处理，该光阻层形成有数个各曝露一对应之电气接点的曝露孔；于该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；把该光阻层移除并且在该等晶片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层；研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止；在该保护层的表面上涂布一个钝化层，该钝化层是透过曝光和显影处理来形成有数个各曝露一对应之导电触点的曝露孔；于该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层之每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；及把该钝化层移除。