| 发明名称 |
导电性高分子之图型形成方法 |
| 摘要 |
本发明为于基体表面上形成经图型化且经配设之含有导电性高分子的导电层之方法，其特征为使用含有萘醌二叠氮化物及酚醛清漆树脂之正型光阻组成物、以及将使用该光阻组成物所得之光阻膜以钾离子的浓度为0.08～0.20mol/公升，共存之钠离子的浓度为未达0.1mol/公升之显像液下进行显像。 |
| 申请公布号 |
TWI460555 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
| 申请号 |
TW098125390 |
申请日期 |
2009.07.28 |
| 申请人 |
东亚合成股份有限公司 日本;鹤见曹达股份有限公司 日本 |
发明人 |
田口裕务 |
| 分类号 |
G03F7/32;G03F7/023;G03F7/039;H01B13/00 |
主分类号 |
G03F7/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种导电性高分子的图型形成方法，其特征为使用含有萘醌二叠氮化合物、酚醛清漆树脂及聚乙烯甲基醚之正型光阻组成物，以及将使用该正型光阻组成物所得的光阻膜，以钾离子浓度为0.08mol/公升~0.20mol/公升，且共存之钠离子浓度为未达0.1mol/公升的显像液进行显像之导电性高分子的图型形成方法，其中上述正型光阻组成物中，由上述酚醛清漆树脂之软化点A(℃)及其含量B(质量份)及聚乙烯甲基醚之玻璃转移点温度C(℃)及其含量D(质量份)，以下述式(1)所算出之计算值E(℃)为60℃~110℃，B/{100×(273+A)}+D/{100×(273+C)}=1/(273+E)．．．(1)(但，B+D=100)。 |
| 地址 |
日本 |
