发明名称 曝光方法及装置、以及元件制造方法
摘要 曝光方法,包含:在第1晶圆之曝光前及曝光后测量对准标记之座标,求出对准参数之变动量△pi(步骤201,204,205),在第2晶圆之曝光前测量对准标记之座标以求出对准参数pi(步骤207),根据针对第1晶圆求出之变动量△pi修正该参数pi后取得之参数pi’(步骤208),进行该第2晶圆之位置对齐及曝光(步骤209)。即使在基板之曝光中基板之线性伸缩等之位置对齐资讯会逐渐变化的情况下,亦能得到高重叠精度。
申请公布号 TWI460561 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW097119844 申请日期 2008.05.29
申请人 尼康股份有限公司 日本 发明人 柴崎佑一
分类号 G03F9/02;G03F7/213 主分类号 G03F9/02
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种曝光方法,系藉由以曝光用光照明图案而以该曝光用光透过该图案使基板曝光,其特征在于包含:在第1基板之曝光前及曝光后测量位置对齐资讯的动作;以及根据该测量结果,修正第2基板曝光前之位置对齐资讯的动作,其中在第1基板曝光之后的该第1基板位置对齐资讯之测量系在该第1基板显影之前动作。
地址 日本