半导体表面用处理剂组成物及使用半导体表面用处理剂组成物之半导体表面处理方法

摘要

本发明之目的为提供一种可将半导体元件等之制造过程中之抗反射膜层在低温且在短时间内轻易地剥离之半导体表面用处理剂组成物及使用该半导体表面用处理剂组成物之半导体表面处理方法，更进一步提供不仅可将抗反射防止膜层及光阻层两层剥离，也可将在进行蚀刻步骤时产生之光阻硬化层剥离之半导体表面用处理剂组成物及使用该半导体表面用处理剂组成物之半导体表面处理方法，因此，本发明系有关一种半导体表面用处理剂组成物及使用该半导体表面用处理剂组成物之半导体表面处理方法之发明，其中，该半导体表面用处理剂组成物系含有在水中会产生氟离子之化合物、碳自由基产生剂及水，若有必要，复含有有机溶剂。

主权项

一种半导体表面用处理剂组成物，系含有：在水中会产生氟离子之化合物、碳自由基产生剂及水；前述在水中会产生氟离子之化合物系从由氟化铵、羟基胺氟化物盐、氢氟酸与1至3级烷基胺之盐、氢氟酸与1至3级烷醇胺之盐、氢氟酸与脂环式胺之盐、氢氟酸与杂环式胺之盐、四级铵之氟化物盐、及氢氟酸所成群组中选出之至少一种化合物；前述碳自由基产生剂系从由偶氮腈系碳自由基产生剂、偶氮醯胺系碳自由基产生剂、链状偶氮脒系碳自由基产生剂、环状偶氮脒系碳自由基产生剂、偶氮酯系碳自由基产生剂、偶氮腈羧酸系碳自由基产生剂、偶氮烷基系碳自由基产生剂、巨偶氮系碳自由基产生剂、苯偶因烷基醚系碳自由基产生剂、苯甲基缩酮系碳自由基产生剂、二苯甲酮系碳自由基产生剂、胺基苯甲酸酯系碳自由基产生剂、1,2-羟基烷基苯基酮系碳自由基产生剂、1,2-胺基烷基苯基酮系碳自由基产生剂、醯基膦氧化物系碳自由基产生剂、蒽醌系碳自由基产生剂、噻吨酮系碳自由基产生剂、吖啶酮系碳自由基产生剂、咪唑系碳自由基产生剂、肟(oxime)酯系碳自由基产生剂、及二茂钛系碳自由基产生剂所成群组中选出之至少一种碳自由基产生剂。