可变阻抗之闸控去耦合单元

摘要

本发明实施例提供一系统，其控制在电力系统中之杂讯，该电力系统包含电力轨及接地轨。该系统包含：MOS电晶体，与在该电力轨及该接地轨间之去耦合电容串联连接，及电感封装连接至该电力轨并与该MOS电晶体与该去耦合电容并联。MOS电晶体、去耦合电容及电感封装连接的组合形成一谐振电路。在操作时，该系统决定是否在电力轨上的Vdd信号有杂讯。根据出现在Vdd信号上的杂讯，该系统调整该MOS电晶体的阻抗，以降低接近谐振电路的想要频率(ωinterest)的频率范围中的杂讯，而不会在其他频率造成切换杂讯的不必要增加。

主权项

一种用以控制在电力系统中之杂讯的设备，该电力系统包含电力轨及接地轨，该设备包含：去耦合电容，具有被连接至该接地轨的第一接脚；MOS电晶体，耦接至该去耦合电容，其中该MOS电晶体的源极系耦接至该电力轨及该MOS电晶体的汲极系耦接至该去耦合电容的第二接脚；电感封装连接，耦接至该电力轨，其中该MOS电晶体及该去耦合电容系被架构以与该电感封装连接并联，藉以形成谐振电路；及控制电路，具有输入耦接至该电力轨及输出耦接至该MOS电晶体的闸极，其中，该控制电路调整施加至该MOS电晶体的该闸极的电压，藉此改变该MOS电晶体的阻抗，以降低在接近该谐振电路的想要频率(ωinterest)的频率范围内的杂讯，而不会造成在其他频率的切换杂讯的不必要增加，该控制电路包含：杂讯感应机制，架构以监视Vdd信号，且输出在接近ωinterest的预定频率范围中的该Vdd信号中的该杂讯的现行振幅及该Vdd信号的至少另一频率范围中的该杂讯的现行振幅；及决定机制，架构以藉由比较接近ωinterest的该预定频率范围中的该Vdd信号中的该杂讯的该现行振幅与接近ωinterest的该预定频率范围中的该Vdd信号中的该杂讯的至少一先前振幅，及藉由比较该Vdd信号的至少另一频率范围中的该杂讯的该现行振幅与该Vdd信号的至少另一频率范围中的该杂讯的至少一先前振幅，而决定施加至该MOS电晶体的该闸极的该电压。