具有较低接触电阻的ＭＯＳ结构及其制造方法

摘要

本发明提供具有较低接触电阻的MOS结构与制造此MOS结构的方法。在一个方法中，提供半导体基底且在该半导体基底上制造闸极堆叠。在该半导体基底内形成对准该闸极堆叠的杂质掺杂区。制造延伸自该杂质掺杂区的相邻触点鳍且在该触点鳍上形成金属矽化物层。对至少一个该触点鳍上之该金属矽化物层的至少一部分制造触点。

主权项

一种制造MOS结构的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基底；在该半导体基底上，制造闸极堆叠；在该半导体基底内，形成对准该闸极堆叠的杂质掺杂区；制造延伸自该杂质掺杂区的相邻触点鳍，其中，制造相邻触点鳍的步骤包括下列步骤：磊晶生长含矽材料覆盖在该半导体基底上；以及蚀刻该磊晶生长含矽材料，以在该半导体基底上形成两个相邻触点鳍，其中，蚀刻该磊晶生长含矽材料的步骤包括下列步骤：在该磊晶生长含矽材料上，沉积第一介电材料层；蚀刻该第一介电材料层，以在该磊晶生长含矽材料上形成柱体；在该磊晶生长含矽材料和该柱体上，沉积第二介电材料层；蚀刻该第二介电材料层，以形成该柱体附近的间隔体；移除该柱体；以及使用该间隔体作为蚀刻遮罩，以蚀刻该磊晶生长含矽材料；在该触点鳍上，形成金属矽化物层；以及对至少一个该触点鳍上之该金属矽化物层的至少一部分制造触点。