在电晶体器件中利用反向短通道效应之装置与方法

摘要

本发明揭示一种实施电晶体电路之方法，其包含以并联方式耦合第一与第二电晶体，其中该第一电晶体具有一与该电晶体之电压临限值曲线中之一起因于反向短通道效应之峰值相对应的通道长度，且该第二电晶体具有一更长通道长度进而具有一更低临限电压。以此方式利用反向短通道效应致能实施展现改良线性之「复合」电晶体电路。

主权项

一种电晶体电路，其包含：并联第一与第二电晶体，其具有实质上相同临限电压曲线，该等临限电压系与电晶体通道长度成一函数关系；该第一电晶体，其系经组态具有一与该临限电压曲线中之一起因于反向短通道效应之临限电压峰值相匹配的第一电晶体通道长度；及该第二电晶体，其系经组态具有一大于该第一通道长度之第二电晶体通道长度，以便该第二电晶体之一临限电压系低于该第一电晶体之一临限电压，因此可改善一给定操作条件范围上该电晶体电路之一线性。