晶片及载板的封装方法

摘要

一种本发明晶片及载板的封装方法，包含：薄型晶片载板制作步骤，制作总厚度范围在70至150μm的薄型晶片载板，该薄型晶片载板包含介电材料层、藉由介电材料层堆叠且连接的线路金属层，以及凸出介电材料层10~15μm的焊垫；结构层制作步骤，在薄型晶片载板的周围上各设置稳固结构；晶片连接步骤，将晶片设置于容置空间中，使晶片的接脚与焊垫连接；以及注入材料填入步骤，是将该晶片下方的容置空间填入注入材料，经封装后总厚度范围在300~850μm之间，由于不需胶装封模，能降低封装的总厚度及节省成本，更能藉稳固结构来避免薄型晶片载板弯曲。

主权项

一种晶片及载板的封装方法，包含：一薄型晶片载板制作步骤，制作总厚度范围在70至150μm的一薄型晶片载板，该薄型晶片载板包含一介电材料层、一第一线路金属层以及一第二线路金属层，该第一线路金属层镶嵌于该介电材料层，并与该介电材料层形成一共面表面，该第二线路金属层透过填满该介电材料层的孔洞与该第一线路金属层连接，该薄型晶片载板包含凸出该共面表面10~15μm、与该第一线路金属层连接之的复数个焊垫；一结构层制作步骤，是在该薄型晶片载板共面平面的周围上，各设置一稳固结构，该稳固结构包含下部的一黏着层以及上方的一稳固层，而提供一容置空间；一晶片连接步骤，是将一晶片设置于该容置空间中，使该晶片的复数个接脚分别与该等焊垫连接；以及一注入材料填入步骤，是将该晶片下方的该容置空间填入一注入材料，以使该晶片的该等接脚及该等焊垫的连接稳固，其中经过封装后总厚度范围在300~850μm之间。